| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器(10)包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜(31)，其中涂布膜(31)具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示涂布膜(31)对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据厚度d和折射率n的、所述发光部处的反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN101232151B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810005122.4 | 申请日期 | 2008.01.22 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 川口佳伸;神川刚 |
| 分类号 | H01S5/028(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/028(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 一种半导体激光器，包括在半导体发光部形成的用于调整反射率的涂布膜，其中所述涂布膜具有设定为满足R(d，n)＞R(d，n+0.01)和d＞λ/n的厚度，其中n表示所述涂布膜对于激光发射波长λ的折射率，R(d，n)表示依据所述厚度d和所述折射率n的、所述发光部处的反射率。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||