| 发明名称 | 通过四氯化硅的催化加氢脱卤制备三氯甲硅烷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种将SiCl4催化加氢脱卤以形成HSiCl3的工艺，它包括使包含氢气和四氯化硅的气体进料混合物与电阻加热装置的至少一个加热单元发生直接接触，所述加热单元由金属或金属合金构成并被加热以进行所述转化。 | ||
| 申请公布号 | CN1946637B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200580012453.5 | 申请日期 | 2005.03.10 |
| 申请人 | 德古萨公司 | 发明人 | K·博姆哈梅尔;S·克特尔;G·勒维尔;I·勒弗;J·蒙基维茨;H·-J·赫内 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周铁;林森 |
| 主权项 | 一种将SiCl4催化加氢脱卤形成HSiCl3的工艺，其中，使包含H2/SiCl4的气体进料混合物与电阻加热装置的至少一个加热单元发生直接接触，其中所述加热单元由选自铌、钽和钨的金属或由含有铌、钽和/或钨的金属合金构成并被加热以进行催化加氢脱卤反应。 | ||
| 地址 | 德国杜塞尔多夫 | ||