| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一保护层；在所述半导体衬底中形成贯穿所述第一保护层的第一沟槽；在所述沟槽侧壁形成第二保护层；以所述第一保护层和第二保护层为掩模，刻蚀所述第一沟槽的底部，使所述第一沟槽深度增大，形成第二沟槽；去除所述第二沟槽未被第二保护层覆盖的侧壁的部分厚度的材料，使所述第二沟槽的底部的宽度增大；去除所述第一保护层和第二保护层后，在所述第二沟槽中填充绝缘层。本发明还提供一种浅沟槽隔离结构。本发明能够减小浅沟槽隔离结构中的沟槽顶部以及底部的宽度的差距，并提供隔离性能更好的浅沟槽隔离结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101740459A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810226385.8 | 申请日期 | 2008.11.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一保护层；在所述半导体衬底中形成贯穿所述第一保护层的第一沟槽；在所述沟槽侧壁形成第二保护层；以所述第一保护层和第二保护层为掩模，刻蚀所述第一沟槽的底部，使所述第一沟槽深度增大，形成第二沟槽；去除所述第二沟槽未被第二保护层覆盖的侧壁的部分厚度的材料，使所述第二沟槽的底部的宽度增大；去除所述第一保护层和第二保护层后，在所述第二沟槽中填充绝缘层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||