发明名称 | 声界面波装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种频率偏差较小的声界面波装置的制造方法。该声界面波装置,按顺序叠层第1~第3媒质(1~3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中,准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2),并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体,在该叠层体阶段,通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速,实施该调整后,形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。 | ||
申请公布号 | CN101741342A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
申请号 | CN200910222850.5 | 申请日期 | 2005.03.24 |
申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 门田道雄;神藤始 |
分类号 | H03H9/145(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/145(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
主权项 | 一种声界面波装置,其特征在于:按顺序叠层第1~第4媒质,在第1媒质与第2媒质间的界面上设有电极,第3媒质与第4媒质的声速及/或材料不同,上述电极,包含有从Au、Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所构成的群中选择出的1种金属。 | ||
地址 | 日本京都府 |