| 发明名称 | 柔性半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN101740495A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910246065.3 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 江口晋吾;及川欣聪;片山雅博;中村亚美;门马洋平 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜;徐予红 |
| 主权项 | 一种柔性半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成半导体元件；在所述半导体元件上形成树脂层；使用蚀刻液溶解所述剥离层；以及从所述衬底分离所述半导体元件。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||