发明名称 半导体装置
摘要 本发明涉及一种半导体装置,包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环,且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中,内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧,且此外开口与内开口并未对齐。连接沟连接内开口与外开口。
申请公布号 CN101447462B 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200810179055.8 申请日期 2008.11.27
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 侯上勇;陈俊宏;蔡佳伦;牛保刚;郑心圃
分类号 H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 陈红
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包含:一第一电路;一第一封环,环绕该第一电路;以及至少一第一缺口,切开该第一封环,其中该第一缺口呈Z字形,该第一缺口包含:一内开口,位于该第一封环内侧;一外开口,位于该第一封环外侧;以及一连接沟,连接该内开口与该外开口。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号