| 发明名称 | 溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种溅射靶，其中，在Ta或Ta合金靶中，{110}面的X射线衍射强度比为0.4以下，进一步{110}面的X射线衍射强度比为0.2以下；一种溅射靶，其中在Ta或Ta合金靶表面上{110}面的X射线衍射强度比为0.8以下，并且在深度100μm或更大深度处的{110}面的X射线强度比为0.4以下。本发明提供一种Ta或Ta合金靶，其在整个溅射靶的寿命期间使各靶的成膜速度的变动最小化，进一步提高并稳定溅射过程中半导体的生产效率，同时有助于降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101171362B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200680014792.1 | 申请日期 | 2006.03.28 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 宫下博仁 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其中在通过将原料熔融和铸造，并对所得物进行塑性加工和热处理而得到的Ta或Ta合金靶中，(110)面的X射线衍射强度相对于(110)、(200)、(211)、(310)、(222)、(321)各自的X射线强度之和的比为0.2以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||