| 发明名称 | 半导体器件的缺陷检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的缺陷检测方法，包括步骤：提供待检测晶圆；确定所述待检测晶圆上的待检测缺陷；确定所述待检测缺陷在所述待检测晶圆上的分布区域；在所述待检测晶圆上定义第一检测区，且所述第一检测区位于所述待检测缺陷的分布区域内；设置所述第一检测区的第一检测参数；按照所述第一检测参数检测所述第一检测区的缺陷。利用本发明的缺陷检测方法可以检测到不易检测到的缺陷，得到较准确的缺陷分布信息，简化了对缺陷信息进行分析的过程。 | ||
| 申请公布号 | CN101295659B | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200710040381.6 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李成功 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 一种半导体器件的缺陷检测方法，其特征在于，包括步骤：提供待检测晶圆；确定所述待检测晶圆上的待检测缺陷；确定所述待检测缺陷在所述待检测晶圆上的分布区域；根据所述待检测缺陷的分布情况，在所述待检测晶圆上定义第一检测区，且所述第一检测区位于所述待检测缺陷的分布区域内；设置所述第一检测区的第一检测参数；按照所述第一检测参数检测所述第一检测区的缺陷。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||