| 发明名称 | 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，包括如下步骤：(1)在氨水溶液中超声清洗；(2)在纯水中超声清洗至少2次；(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；(4)纯水喷淋；(5)循环纯水浸渍。本发明的清洗方法可以彻底清除硅片表面的浆料残留和各种杂质，防止了因残留浆料清洗不彻底对电池性能造成的负面影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101722155A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910234467.1 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司 | 发明人 | 王立建;王栩生;朱冉庆;章灵军 |
| 分类号 | B08B3/00(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;C11D7/04(2006.01)I;C11D7/08(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在氨水溶液中超声清洗；(2)在纯水中超声清洗至少2次；(3)在稀盐酸溶液中超声清洗；(4)纯水喷淋；(5)循环纯水浸渍。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||