固态摄像元件的制造方法

摘要

本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。

主权项

一种固态摄像元件的制造方法，所述固态元件包括：硅化区域，至少形成在所述硅化区域的晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面被硅化；以及非硅化区域，形成在所述非硅化区域的晶体管的源极/漏极区域以及栅极电极的表面未被硅化，所述制造方法的特征在于，包括以下工序：在半导体层上形成栅极电极；覆盖所述半导体层以及所述栅极而形成绝缘膜；对所述绝缘膜进行刻蚀，从而在所述栅极电极的侧表面上形成侧壁；将所述栅极电极以及所述侧壁作为掩模，在半导体层中形成源极/漏极区域；覆盖所述栅极电极、所述侧壁、所述源极/漏极区域、以及在半导体层中形成的通过光照射而产生电荷的受光区域来形成供氢膜；在所述供氢膜上形成自对准硅化物阻挡膜；在用光刻胶覆盖所述非硅化区域后，刻蚀所述供氢膜以及所述自对准硅化物阻挡膜；在衬底上形成了金属膜后进行热处理，从而通过所述金属膜与硅的反应，使硅化区域的所述栅极电极的上部和所述源极/漏极区域的上部硅化，由此形成金属硅化膜，其中，在形成所述侧壁的工序中，刻蚀掉所述硅化区域和所述非硅化区域中除所述栅极电极的侧表面上的绝缘膜以外的绝缘膜，形成相同构造的所述侧壁。