发明名称 半导体集成电路
摘要 本发明要解决的课题是:在将具有半导体存储器的半导体芯片(4)和具有逻辑电路的主芯片(2)安装在一个封装内的半导体集成电路中,半导体芯片(4)在待机状态下的漏电流明显。在主芯片(2)上连接半导体芯片(4)的电源焊盘(10),设置用于将来自外部的电源电压提供给半导体芯片(4)的开关单元(20),根据来自控制电路的控制信号,在半导体存储器的待机模式时,切断半导体芯片(4)的电源焊盘(10)与主芯片(2)的半导体存储器的电源电压线的连接,从而可以抑制在半导体存储器上发生的漏电流。
申请公布号 CN101207115B 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200710186572.3 申请日期 2007.12.12
申请人 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 发明人 水谷阳介
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李香兰
主权项 一种半导体集成电路,其将多个半导体芯片安装在同一封装内,其特征在于,该半导体集成电路具备切断机构,其停止从一个半导体芯片向其他的半导体芯片供给电源电压,所述多个半导体芯片包含:具有逻辑电路的第一半导体芯片;和具有半导体存储器的第二半导体芯片所述切断机构是由MOS晶体管构成的开关元件,所述开关元件在待机模式时,根据来自设置在所述第一半导体芯片中的电源控制电路的控制信号,停止从所述第一半导体芯片向所述第二半导体芯片供给电源电压。
地址 日本国大阪府