| 发明名称 | 一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ge掺杂的AZO透明导电膜及其制备方法，该透明导电膜是采用射频磁控溅射共沉积制备在玻璃基片上的。Ge掺杂的AZO透明导电膜由0.5～2.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。本发明透明导电膜的室温电阻率为7～8×10-4Ω·cm，在400～800nm可见光范围内平均透过率达到80～90％。经本发明射频磁控溅射共沉积方法制得的透明导电膜，通过掺杂Ge单质并没有改变ZnO的晶体结构，且具有良好的(002)晶体取向。 | ||
| 申请公布号 | CN101188149B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710177379.3 | 申请日期 | 2007.11.15 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | 发明人 | 毕晓昉;陈骆;叶明伟 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人 | 周长琪 |
| 主权项 | 一种Ge掺杂的AZO透明导电膜，其中，AZO为掺杂有Al元素的ZnO，该透明导电膜是沉积在玻璃基片上的，其特征在于：该透明导电膜由0.5～2.5wt％的Ge、1.05wt％的Al、86.3wt％的Zn和余量O组成。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路37号 | ||