掩模布局方法、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种掩模布局方法、半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括主图案，第一虚设图案以及第二虚设图案。所述主图案可沉积于衬底上。所述第一虚设图案和所述第二虚设图案可围绕所述主图案的侧边沉积。所述第一虚设图案具有内部开放区域。所述第二虚设图案可沉积于所述第一虚设图案的所述内部开放区域，以使所述第一虚设图案围绕所述第二虚设图案。

主权项

一种掩模布局方法，包括以下步骤：形成第一虚设图案，该第一虚设图案包括有开放空间；在所述第一虚设图案的所述开放空间内形成第二虚设图案，其中形成所述第一虚设图案的步骤包括：形成第一母虚设图案；收缩所述第一母虚设图案以形成第三虚设图案；以及综合所述第三虚设图案和所述第一母虚设图案，以移除所述第一母虚设图案与所述第三虚设图案重叠的部分，从而形成所述第一虚设图案。