Verfahren zum Passivieren freigelegter Kupferoberflächen in einer Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements

摘要

Bei der Herstellung aufwendiger Metallisierungssysteme wird die Oberflächenintegrität einer freigelegten Metalloberfläche, etwa einer kupferenthaltenden Oberfläche, verbessert, indem die Oberfläche der Einwirkung des Dampfes eines Passivierungsmittels ausgesetzt wird. Auf Grund der entsprechenden Wechselwirkung mit der Metalloberfläche wird eine erhöhte Integrität erreicht, wobei gleichzeitig eine Schädigung freiliegender dielektrischer Oberflächenbereiche verringert wird im Vergleich zu konventionellen aggressiven nasschemischen Reinigungsprozessen, die typischerweise in konventionellen Strukturierungsschemata angewendet werden.