发明名称 |
有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件 |
摘要 |
提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括:源极和漏极;有机半导体层,它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面;与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极;以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。 |
申请公布号 |
CN101714569A |
申请公布日期 |
2010.05.26 |
申请号 |
CN200910224556.8 |
申请日期 |
2006.09.22 |
申请人 |
三星移动显示器株式会社 |
发明人 |
安泽;徐旼彻;朴镇成 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
一种包括有机薄膜晶体管的电子设备,所述有机薄膜晶体管包括:源极和漏极;接触所述源极和漏极的有机半导体层,所述有机半导体层包括位于所述源极与漏极之间的沟道部分;与所述源极、所述漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极,以及使所述栅极与所述源极、漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜,其中,所述有机半导体层的沟道部分具有第一厚度,其中所述有机半导体层的非沟道部分具有第二厚度,并且,其中所述第一厚度明显大于所述第二厚度。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |