| 发明名称 | 非易失存储元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层进行扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1983660B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
| 申请号 | CN200610170067.5 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 川越刚;浅野勇 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谷惠敏;钟强 |
| 主权项 | 一种非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在该黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接于所述记录层；以及第四步，将位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层扩散进记录层中。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||