发明名称 用于对含烃地层进行处理的方法
摘要 本发明公开了一种用于对含烃地层进行处理的方法。用于对含烃地层进行处理的这一方法包括操作:利用第一组加热器(158)对第一体积(162)的地层进行加热。可利用第二组加热器(158)对第二体积(164)的地层进行加热。利用一第三体积的地层将第一体积地层与第二体积地层分隔开。第一、第二、和/或第三体积地层的尺寸、形状、和/或位置被设计成能抑制地下设备的变形,该变形是由地层在加热过程中产生地质力学运动所致。
申请公布号 CN1717531B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN200380104380.3 申请日期 2003.10.24
申请人 国际壳牌研究有限公司 发明人 H·J·维尼格;J·M·卡拉尼卡斯;K·S·汉森
分类号 E21B43/24(2006.01)I 主分类号 E21B43/24(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 蒋旭荣
主权项 一种用于对含烃地层(160)进行处理的方法,其包括步骤:利用第一组加热器(158)对第一体积(162)的地层进行加热;以及利用第二组加热器(158)对第二体积(162)的地层进行加热,其特征在于:利用一第三体积(164)的地层将第一体积地层与第二体积地层分隔开,且第一(162)、第二(162)、和第三体积(164)地层的尺寸、形状、和/或位置被设计成能抑制地下设备的变形,该变形是由地层(160)在加热过程中产生地质力学运动所致。
地址 荷兰海牙