发明名称 | 用于对含烃地层进行处理的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于对含烃地层进行处理的方法。用于对含烃地层进行处理的这一方法包括操作:利用第一组加热器(158)对第一体积(162)的地层进行加热。可利用第二组加热器(158)对第二体积(164)的地层进行加热。利用一第三体积的地层将第一体积地层与第二体积地层分隔开。第一、第二、和/或第三体积地层的尺寸、形状、和/或位置被设计成能抑制地下设备的变形,该变形是由地层在加热过程中产生地质力学运动所致。 | ||
申请公布号 | CN1717531B | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
申请号 | CN200380104380.3 | 申请日期 | 2003.10.24 |
申请人 | 国际壳牌研究有限公司 | 发明人 | H·J·维尼格;J·M·卡拉尼卡斯;K·S·汉森 |
分类号 | E21B43/24(2006.01)I | 主分类号 | E21B43/24(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蒋旭荣 |
主权项 | 一种用于对含烃地层(160)进行处理的方法,其包括步骤:利用第一组加热器(158)对第一体积(162)的地层进行加热;以及利用第二组加热器(158)对第二体积(162)的地层进行加热,其特征在于:利用一第三体积(164)的地层将第一体积地层与第二体积地层分隔开,且第一(162)、第二(162)、和第三体积(164)地层的尺寸、形状、和/或位置被设计成能抑制地下设备的变形,该变形是由地层(160)在加热过程中产生地质力学运动所致。 | ||
地址 | 荷兰海牙 |