减小光掩模的劣化和/或修改光掩模的特征尺寸的方法

摘要

本发明涉及一种用于减小光掩模的劣化和/或修改光掩模的特征尺寸的方法。光掩模包括透射光的基板和邻近所述基板的吸收体层。所述吸收体层包括被构图成多个特征的硅化物，例如钼硅化物。当用于制造集成电路而将所述掩模暴露于光时，控制周边环境以防止由所述吸收体层的氧化而导致的不希望的生长。在另一方面，当将所述掩模暴露于光时，控制周边环境以促进由所述吸收体层的氧化而导致的希望的生长。

主权项

一种方法，包括以下步骤：获得光掩模，所述光掩模包括透射光的基板和邻近所述基板的吸收体层，所述吸收体层包括被构图成多个特征的硅化物；将所述光掩模安装到用于集成电路制造工艺的步进机装置中；以及在所述集成电路制造工艺期间，在包括基本上干燥的惰性气体的气氛中用波长小于约240nm的辐射来辐照所述光掩模；由此基本上抑制由氧化导致的所述吸收体层的生长。