雷射结晶化处理基材上薄膜区域以提供实质均一性之制程与系统及此种薄膜区域之结构

摘要

本发明提供一种用于处理薄膜样品(如半导体薄膜)之方法与系统，以及该薄膜结构。特别是，可控制一光束产生器以发射至少一光束脉冲。以此光束脉冲，用足够完全熔化该薄膜样品至少一部位的整个厚度之强度照射该样品至少一部位，且该光束脉冲具有一预定形状。该薄膜之此部位被容许再凝固，且该再凝固之至少一部位是由一第一区域与一第二区域组成。在该部位再凝固时，该第一区域包括大晶粒，且该第二区域具有一经由成核形成之区。该第一区域围绕该第二区域，且具有与该第二区域之晶粒结构不同的晶粒结构。该第二区域的配置有利于在该第二区域上的一电子装置之主动区。

主权项

一种用于处理薄膜样品之方法，至少包含下列步骤：(a)控制一光束产生器以发射至少一光束脉冲；(b)以该至少一光束脉冲，用足够完全熔化该薄膜样品至少一部位之整个厚度的强度来照射该样品之该至少一部位；及(c)容许该薄膜之该至少一部位再凝固，该再凝固之至少一部位是由一第一区域与一第二区域组成，其中在该至少一部位再凝固时，该第一区域包括大晶粒，且该第二区域具有经由成核形成之小晶粒区，其中该第一区域围绕该第二区域，且该第一区域之晶粒结构与该第二区域之晶粒结构不同，其中该第二区域是经配置以利于位在其上的一电子装置之一主动区。