发明名称 |
Verfahren zum Strukturieren von Strukturmerkmalen und Strukturen davon |
摘要 |
Verfahren zum Strukturieren von Merkmalen, Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente werden offenbart. Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Strukturieren eines Strukturmerkmals das Ausbilden eines ersten Abschnitts (122) des Strukturmerkmals in einer ersten Materialschicht (Mx). Ein zweiter Abschnitt (124) des Strukturmerkmals wird in der ersten Materialschicht (Mx) ausgebildet und ein dritter Abschnitt (126) des Strukturmerkmals wird in einer zweiten Materialschicht (CA) ausgebildet.
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申请公布号 |
DE102009044391(A1) |
申请公布日期 |
2010.05.20 |
申请号 |
DE20091044391 |
申请日期 |
2009.11.02 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
POSTNIKOV, SERGEI;SCHULZ, THOMAS |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/20 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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