一种基于n-ZnO/n-GaN异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法。该异质nN结的紫外发光二极管至少包括nN结和欧姆接触电极，其是在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结，或在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上先生长一中间层薄膜，再生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结。本发明制备的n-ZnO/n-GaN异质nN结二极管具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压，其阈值电压最低可达2.5V，所发光波长在370nm附近，线宽小于8.8nm，并且发光强度极高。

主权项

一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管，至少包括nN结和欧姆接触电极，其特征在于：在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结，或在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上先生长一中间层薄膜，再生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结。