| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件具有由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层。该方法包括：第一分割步骤，其中将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，其中在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。 | ||
| 申请公布号 | CN1983555B | 申请公布日期 | 2010.05.19 |
| 申请号 | CN200610162260.4 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 池本由平;平田宏治;青木和夫;金子由基夫;氏家建和 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 一种制造半导体元件的方法，所述半导体元件包括由氧化镓形成的衬底和形成在所述衬底上的半导体层，该方法包括：第一分割步骤，将具有在其上形成的半导体层的衬底沿着衬底的第一解理面分割成晶条；和第二分割步骤，在垂直于第一解理面的方向上分割晶条。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||