发明名称 | 一种平面化厚隔离介质形成方法 | ||
摘要 | 本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:一、在硅片表面刻蚀深孔阵列;二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化,变成二氧化硅;三、再用CVD隔离介质将深孔覆盖,形成厚隔离介质。优点:隔离介质厚度可以通过孔的刻蚀深度调整,可以获得芯片一样厚的介质膜,同时保证硅片表面平坦度和细线条加工成品率,达到减小介质膜寄生电容的目的。 | ||
申请公布号 | CN101702405A | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
申请号 | CN200910232877.2 | 申请日期 | 2009.10.21 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 傅义珠;盛国兴;王佃利;刘洪军 |
分类号 | H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
主权项 | 一种平面化厚隔离介质形成方法,其特征是该方法包括如下工艺步骤:一、在硅片表面刻蚀深孔阵列;二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化,变成二氧化硅;三、再用CVD隔离介质将深孔覆盖,形成厚隔离介质。 | ||
地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 |