| 发明名称 | 用于控制光刻工艺的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种控制光刻工艺的方法，其包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在形成于第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中，至少有一项参数系由至少该第一覆盖误差测量值所决定。工艺路线(100)包含光刻机台(120)、覆盖度量机台(130)及控制器(140)。该光刻机台(120)被建构成可依据操作准则加工晶片。该覆盖度量机台(130)被建构成可测量在该光刻机台(120)中进行晶片加工时的覆盖误差。该控制器(140)被建构成可接收于选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成于第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。 | ||
| 申请公布号 | CN1643452B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN02825172.5 | 申请日期 | 2002.06.27 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | C·A·博德;A·J·帕萨丁 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种用于控制光刻工艺的方法，包括：在选定晶片上形成第一图案化层；测量与该第一图案化层相关的第一覆盖误差；在该第一图案化层的正上方形成第二层；至少依据该第一覆盖误差测量值，决定在该选定晶片的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个控制参数，其中该控制参数包括x-移位参数、y-移位参数、x-扩大芯片尺度参数、y-扩大芯片尺度参数、光栅放大参数、光栅旋转参数、芯片旋转参数或芯片非正交参数中的至少一个；以及依据该操作准则在该第二层上执行该光刻工艺。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||