发明名称 | 采用等离子体源沉积二氧化钛的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种在基材上沉积二氧化钛涂层的方法,其特征在于特别是使用含有至少一种有机金属前体和/或所述金属氧化物的金属卤化物的气体混合物,在气相中化学沉积具有光化学性质的涂层,采用等离子体源增强这种沉积。 | ||
申请公布号 | CN1816645B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
申请号 | CN200480019034.X | 申请日期 | 2004.06.30 |
申请人 | 法国圣戈班玻璃厂 | 发明人 | A·迪朗多;M·迪朗;C·维克托 |
分类号 | C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘维升;段晓玲 |
主权项 | 在一种基材上沉积以半导体材料为基的涂层的方法,而半导体材料是以金属氧化物,特别是二氧化钛为基的,它们在适当的波长辐射作用下能引发自由基反应,从而引起有机产物的氧化作用,使所述涂层具有光催化性质,其特征在于使用一种含有至少一种有机金属前体和所述金属氧化物的金属卤化物的气体混合物,采用化学气相沉积法沉积具有光催化性质的涂层,同时采用一种等离子体源增强这种沉积,其中往气体混合物加入一种氧化剂或氧化剂混合物。 | ||
地址 | 法国库伯瓦 |