记忆细胞元件及其制造方法

摘要

一种包含有一可藉由施加能量而于各电性状态之间切换之记忆材料之记忆细胞元件，其包括一电极、一相对于一电极表面之分隔层、一位于此分隔层中之孔洞、一位于此孔洞中之第二材料其定义一带有一向下并向内渐缩之空洞区域之空洞。一记忆材料系位于此空洞区域中并电接触至此电极表面。一第二电极系电接触至此记忆材料。流经此第一及第二电极之间之能量系集中于此记忆材料中，以便于转换此记忆材料之一电性状态。此记忆材料可包括一相转换材料。此第二材料可包括一以高密度电浆沈积之材料。本发明同时揭露一种用以制造一记忆细胞元件之方法。

主权项

一种记忆细胞元件，其包括一可藉由施加能量而于各电性状态间切换记忆材料，该记忆细胞元件包括：一第一电极有着一电极表面；一第一材料其系位于该电极表面之上，以产生带有一上表面之一分隔层；该第一材料系界定一孔洞，该孔洞系被该分隔层中之一侧壁、一底面、以及由该上表面所定义之一平面所包围；一第二材料位于该侧壁之上；一第三材料位于该分隔层的该上表面之上；该第三材料系界定于该上表面之该平面之上的一向下并向内渐缩之一第一空洞区域；该第二材料具有一渐缩之剖面形状且系界定于该上表面之该平面之下的一向下并向内渐缩之一第二空洞区域；一记忆材料其系位于该第二空洞区域中至少一部份，且其系电接触至该电极表面；以及一第二电极其系电接触至该记忆材料；其中流经该第一与第二电极之间之能量系集中于该记忆材料中，以便于改变该记忆材料之一电性状态。