| 发明名称 | 一种量子阱混合方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种量子阱混合方法。利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，从而改变量子阱区域的能带结构。本发明克服了氩等离子体诱导的量子阱混合技术中，刻蚀作用的负面影响，不会使得量子阱片的表层被轰击变薄甚至刻穿，为工艺带来便利。 | ||
| 申请公布号 | CN101697341A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910153253.1 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 何建军;张欣;彭盛华 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 林怀禹 |
| 主权项 | 一种量子阱混合方法，其特征在于：利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界面处混合，从而改变量子阱区域的能带结构。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||