| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (100) aufweist, und einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), angegeben. Der Halbleiterkörper ist zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite (2) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist mindestens eine Öffnung (110) auf, welche die Halbleiterschichtenfolge (1) in Richtung von der Vorderseite (2) zu einer der Vorderseite (2) gegenüberliegenden Rückseite (3) vollständig durchdringt. Die erste elektrische Anschlussschicht (4) ist an der Rückseite (3) des Halbleiterkörpers angeordnet, ein Teilstück (40) der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) verläuft von der Rückseite (3) her durch die Öffnung (110) zur Vorderseite (2) hin und bedeckt einen ersten Teilbereich (11) einer vorderseitigen Hauptfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (1). Ein zweiter Teilbereich (12) der vorderseitigen Hauptfläche (10) ist von der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) unbedeckt. |
