发明名称 | 形成接触的方法 | ||
摘要 | 一种形成接触的方法,其包含提供一基材系具有一接触区域。依序形成一介电层及一硬遮罩层于基材上方。形成一开口于遮罩层内,其暴露介电层之一部份。形成一间隙壁于开口内。以硬遮罩层及间隙壁为罩幕,去除介电层以形成一接触窗。接触窗暴露接触区域,以及以一导体材料填塞接触窗。 | ||
申请公布号 | TWI323495 | 申请公布日期 | 2010.04.11 |
申请号 | TW092124216 | 申请日期 | 2003.09.02 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 管式凡;吴国坚 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 蔡玉玲 | |
主权项 | 一种形成接触的方法,包含:提供一基材,该基材具有一接触区域;形成一介电层于该基材上;形成一硬遮罩层于该介电层上;形成一开口于该硬遮罩层内,该开口暴露该介电层之一部份;形成一间隙壁于该开口内;以该硬遮罩层及该间隙壁为罩幕,去除该介电层以形成一接触窗,该接触窗暴露该接触区域;以及以一导体材料填塞该接触窗。 | ||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |