多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管

摘要

本发明公开了属于半导体器件结构及其制造工艺范围的一种多晶收集区倒置结构SiGe异质结晶体管。是在省略了常规SiGe HBT晶体管中的埋层和N-外延Si层结构后，直接利用衬底N+层做发射区，然后依次制作SiGe外延基区，多晶Si收集区，和发射极，基极，收集极引线而形成的电子器件结构。收集区处在结构的上层，有利于采用离子注入技术调节B-C结位置，因而更好地保证器件的性能。外基区和基极引线的部分，采用介质层与下方的发射区隔离，能够减小电容，保证器件的工作速度。倒置结构晶体管，还适于构成共发形式的SiGe单片微波集成电路。

主权项

一种多晶硅收集区倒置结构SiGe异质结晶体管，所述倒置结构SiGe异质结晶体管是在Si衬底上，所述Si衬底的底层为P型而表面一部分为N+型，或者全部都是N+型，以N+型Si作为晶体管的发射区，在发射区上从下向上依次制作SiGe基区和收集区，其特征在于所述收集区为N型离子注入Si和N型掺杂多晶硅组成的复合收集区；所述N型离子注入Si由外延生长的Si构成，该外延生长的Si层经离子注入成为N型，并且下部的掺杂浓度高而上部的掺杂浓度低，上部为N-型；俟后外延生长的Si上生长的多晶Si也掺杂成N型，以形成所述N型掺杂多晶硅，与所述N型离子注入Si共同构成所述复合收集区，收集极电极由所述复合收集区引出；并且控制复合收集区下部的掺杂浓度将基区-收集区PN结的位置有效地推入到SiGe材料中去。