发明名称 |
光刻装置、器件制造方法和由此制造得到器件 |
摘要 |
在器件制造过程中,投射光束通过掩模投射到基底上。利用基底上的对准结构将基底与掩模对准。利用对准结构反射光的特性来确定基底的相对位置。先前对基底的处理可能引起根据反射光确定的位置中的误差。对反射光特性的测量用于确定对加工基底引起的误差进行校正所需的校正量。对准结构的物理模型的参数优选根据反射光进行估计并用于确定校正。优选地,测量多个不同衍射峰值的振幅来确定校正。 |
申请公布号 |
CN1514306B |
申请公布日期 |
2010.04.07 |
申请号 |
CN200310121697.X |
申请日期 |
2003.12.15 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
A·J·登博夫;E·C·莫斯;M·范德沙尔 |
分类号 |
G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种光刻投射装置,包括:-用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;-用于保持基底的基底台,所述基底包括具有空间周期性变化光学特性的对准结构;以及-光学对准系统,设置为-利用位置信息确定所述对准结构相对于构图部件的位置,所述位置信息来自受基底影响的光,所述位置信息是受基底位移影响的信息;以及-根据上述位置控制构图部件相对于基底的定位,其特征在于将该光学对准系统设置为-测量受到该基底影响或受到另一基底影响的光的位置不变信息,所述另一基底与所述基底一样已经历一个或多个处理步骤,或者其具有用于处理所述基底的相同的处理参数值;以及-至少在位置不变信息的控制下,确定校正的大小,所述校正用于根据不同衍射级对的相位值确定所述位置。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |