发明名称 | 结合界面导电簇的薄膜晶体管 | ||
摘要 | 一种场效应晶体管,所述场效应晶体管包括在栅极电介质和有源层之间的不连续导电簇薄层。所述有源层可包含有机半导体或有机半导体与聚合物的共混物。金属、金属氧化物、主要为非碳金属的材料和/或碳纳米管可用于形成所述导电簇层。所述导电簇改善了晶体管的性能并且也有利于晶体管的制造。 | ||
申请公布号 | CN101689607A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
申请号 | CN200880022273.9 | 申请日期 | 2008.05.13 |
申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 李子成;罗伯特·S·克拉夫;丹尼斯·E·沃格尔;朱培旺 |
分类号 | H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 郇春艳;樊卫民 |
主权项 | 1.一种场效应晶体管,包括:有源层,所述有源层包含半导体;栅极、源极和漏极触点,所述栅极、源极和漏极触点电耦合至所述有源层;栅极电介质,所述栅极电介质相对所述栅极触点进行布置;以及不连续导电簇层,所述不连续导电簇层设置在所述栅极电介质与所述有源层之间。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |