发明名称 | 存储器编程方法及存储器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种存储器编程方法及存储器,存储器包括多列存储单元,每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第n列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程,n为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程,则施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程此欲编程存储单元,否则施加对应于第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程此欲编程存储单元,第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压。 | ||
申请公布号 | CN101685674A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
申请号 | CN200910009657.3 | 申请日期 | 2009.02.02 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 廖惇雨 |
分类号 | G11C16/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/12(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 1、一种存储器编程方法,该存储器包括多个列存储单元,每一个存储单元包括二个半单元,其特征在于,该存储器编程方法包括:判断一第n列存储单元的一欲编程存储单元的二个半单元是否均需被编程,n为正整数;以及若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程,则施加对应于该第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程该欲编程存储单元,否则施加对应于该第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程该欲编程存储单元,该第二初始编程偏压高于该第一初始编程偏压。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |