发明名称 |
成膜装置和成膜方法 |
摘要 |
一种成膜装置,边加热载置台的载置面,边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体,从而进行成膜处理,其特征在于,具有:用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构;隔着间隙包围处于上述处理位置时的上述载置台、且与该载置台一起将上述真空容器内划分成在该载置台上方的上部空间和在该载置台下方的下部空间的包围部分;与上述上部空间连通、将上述上部空间内的处理气氛进行真空排气的真空排气路;将从上述上部空间到上述真空排气路为止的与气体接触的部位加热到比反应物发生附着的温度高的温度的加热构件;以及在上述加热构件与包围上述下部空间的上述真空容器的下侧部分之间设置的隔热部。 |
申请公布号 |
CN101689500A |
申请公布日期 |
2010.03.31 |
申请号 |
CN200880022669.3 |
申请日期 |
2008.09.03 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
高木俊夫 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
蒋 亭;苗 堃 |
主权项 |
1、一种成膜装置,对于通过输送口输入真空容器内并转移到该真空容器内的载置台上的基板,边加热所述载置台的载置面,边在真空气氛下从与所述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体,由此对该基板进行成膜处理,其特征在于,具有:升降机构,用于使所述载置台在对基板进行成膜处理的处理位置、与在该处理位置的下方且与从所述输送口进入的外部输送机构之间转移基板的转移位置之间进行升降,包围部分,隔着间隙包围处于所述处理位置时的所述载置台、且与该载置台一起将所述真空容器内划分成在该载置台上方的上部空间和在该载置台下方的下部空间,真空排气路,与所述上部空间连通,将所述上部空间内的处理气氛进行真空排气,加热构件,将从所述上部空间到所述真空排气路为止的与气体接触的部位加热到比反应物发生附着的温度高的温度,以及隔热部,设于所述加热构件与包围所述下部空间的所述真空容器的下侧部分之间。 |
地址 |
日本东京都 |