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发明名称 Tunnel-diode matrix memory with non-destructive reading and with writing of information
摘要
申请公布号 GB1109575(A) 申请公布日期 1968.04.10
申请号 GB19660014180 申请日期 1966.03.30
申请人 COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE 发明人
分类号 G11C11/38;H03K3/315 主分类号 G11C11/38
代理机构 代理人
主权项
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