| 发明名称 | 透明导电膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的透明导电膜的形成方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在上述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，使上述溅射电压在340V以下来进行上述溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN101680079A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880018458.2 | 申请日期 | 2008.08.20 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高桥明久;石桥晓;杉浦功;高泽悟 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 琦;王珍仙 |
| 主权项 | 1、一种透明导电膜的形成方法，该方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在所述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，其特征在于，使所述溅射电压在340V以下来进行所述溅射。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||