| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Aufwachsschichten aus binären, halbleitenden Verbindungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AT262382(B) |
申请公布日期 |
1968.06.10 |
| 申请号 |
AT19660006372 |
申请日期 |
1966.07.04 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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| 分类号 |
C01B25/06;C22C1/00;H01L21/205 |
主分类号 |
C01B25/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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