| 发明名称 | 电阻式存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电阻式存储器件及其制造方法，所述电阻式存储器件包括：在衬底之上的绝缘层；穿过所述绝缘层的纳米线；电阻层，其形成在所述绝缘层之上并接触所述纳米线；以及形成在所述电阻层之上的上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101677121A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200910135932.6 | 申请日期 | 2009.04.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李有真 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种电阻式存储器件，包括：衬底；在所述衬底之上的绝缘层；纳米线，其限定下电极并穿过所述绝缘层；电阻层，其在所述绝缘层之上形成并接触所述纳米线；和在所述电阻层之上形成的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||