准垂直结构发光二极管

摘要

本发明公开了一种准垂直结构的发光装置。依照本发明的一个实施例，准垂直结构发光二极管包括一个蓝宝石基板；生长在蓝宝石基板上的多个半导体层，多个半导体层包括一个n-GaN层、一个活性层和一个p-GaN层；多个被蚀刻在多个半导体层里的孔，每个孔被蚀刻到蓝宝石基板，以及在蓝宝石基板里的多个蓝宝石孔，每个孔与一个蓝宝石孔对齐以形成孔壁，孔壁和底部被沉积一种n-半导体金属，并且每个孔被填满另一种金属以形成一个n-电极触点；一个在活性层和p-GaN层处的n-台面，n-台面被沉积一种n-半导体金属，并且一个钝化层生长在n-半导体金属上方；以及一个被沉积在p-GaN层上的p-半导体金属层，和一个被键合到p-半导体金属的p-电极金属。

主权项

1.一种制作准垂直结构发光装置的方法，此方法包括：提供一个生长基板；在生长基板上生长多个半导体层；蚀刻多个半导体层而产生装置隔离槽，其形成多个可分离的半导体元件和多个孔；在多个半导体层里每个孔的位置上钻多个盲孔在蓝宝石基板上，多个盲孔被钻到一个预定深度，其中钻孔确定了盲孔壁和每个盲孔上的一个盲孔端；沉积n-半导体金属在每个盲孔里；通过电镀一种n-电极金属在每个盲孔里，形成一个n-电极触点在每个盲孔里，n-电极金属被连接到n-金属；薄化蓝宝石基板以露出n-电极金属作为一个n-电极；和沉积键合金属到n-电极以便进行封装。