| 摘要 |
一种填充铜的镶嵌结构与其形成方法，此方法包括：提供一基底；形成绝缘层于上述基底上；形成镶嵌开口穿过上述绝缘层一厚度；形成扩散阻障层以衬着(line)上述镶嵌开口；形成第一晶种层于上述扩散阻障层上；以第一处理电浆对上述第一晶种层同处(in-situ)进行电浆处理，此第一处理电浆所包括的电浆源气体系择自氩气、氮气、氢气与氨气所组成之族群中；形成第二晶种层于上述第一晶种层上；藉由电化学电镀(electro-chemical plating，简称ECP)形成铜层于上述第二晶种层上以填充上述镶嵌开口；以及平坦化上述铜层以形成金属内连线结构。 |
