发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
一种半导体装置(1),在具备多个电极(9)的半导体元件(2)上,形成有多个树脂层、与电极(9)进行电连接的多个配线(4)、以及电连接到该配线(4)的多个外部端子(7),其特征是,在多个配线(4)中,其一部分的第一配线(4a)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的底面,且在多个配线(4)中,除该一部分之外的第二配线(4b)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的表面。由此,本发明提供一种能够高密度地形成配线以及外部端子的半导体装置及其制造方法、搭载该半导体装置的电路基板以及具备该半导体装置的电子设备。 |
申请公布号 |
CN101673717A |
申请公布日期 |
2010.03.17 |
申请号 |
CN200910179066.0 |
申请日期 |
2004.12.15 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
伊东春树 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种半导体装置,在具备多个电极的半导体元件上,形成有树脂层、与所述电极电连接的配线、以及与该配线电连接的多个外部端子,其特征是:在多个所述配线中,第一配线形成于所述树脂层或者叠层了的多个树脂层的第一表面;所述多个配线中的第二配线形成于所述树脂层或者叠层了的多个树脂层的与所述第一表面相反侧的面即第二表面;所述第一配线与第二配线立体交叉。 |
地址 |
日本东京 |