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发明名称 Process for manufacturing a memory device, in particular a phase change memory, including a silicidation step
摘要
申请公布号 EP1439579(B1) 申请公布日期 2010.03.10
申请号 EP20030425017 申请日期 2003.01.15
申请人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;OVONYX INC. 发明人 PELLIZZER, FABIO;BEZ, ROBERTO;TOSI, MARINA
分类号 H01L21/8238;H01L27/24 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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