| 发明名称 | MOSFET以及MOSFET的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失(高沟道迁移率以及低栅极阈值电压)并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层具有第一区域和第二区域。第一区域为从表面到第一预定深度的区域。第二区域为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域的杂质浓度低于第二区域的杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN100593243C | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200680038948.X | 申请日期 | 2006.10.06 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藤平景子;三浦成久;大塚健一;今泉昌之 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1.一种MOSFET，其特征在于，具有：漂移层，形成在衬底的主面上并具有第一导电类型且由碳化硅构成；基区，形成在上述漂移层的表面内并具有第二导电类型；以及源区，形成在上述基区的表面内并具有第一导电类型，上述漂移层具有：第一区域，是从表面到第一预定深度的区域；以及第二区域，形成在比上述第一预定深度深的区域，上述第一区域的杂质浓度低于上述第二区域的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||