| 发明名称 | 包括非易失性存储器阵列的电子器件和使用该器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种电子器件(10)可以包括第一存储器单元(311)和第二存储器单元(312)。第一存储器单元(311)可以包括第一源极，并且第二存储器单元可以包括第二源极。第一存储器单元(311)和第二存储器单元(312)可以位于存储器阵列(12)的同一扇区(1210)内。在一个实施例中，擦除电子器件(10)可以包括在抑制第二存储器单元(312)的擦除的同时，擦除第一存储器单元(311)。第三存储器单元(321)可以具有第三源极，并且位于另一个扇区(1220)内。在另一个实施例中，抑制第一存储器单元(311)的擦除可以包括将第一源极和第三源极置于相同的电势。在特定的实施例中，第一源极可以与第二源极电绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN101652855A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200880011299.3 | 申请日期 | 2008.03.20 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 罗纳德·J·希兹德克;高里尚卡尔·L·真达洛雷;托马斯·尤 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘光明;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种使用包括非易失性存储器阵列的电子器件的方法，包括：擦除在所述非易失性存储器阵列的第一扇区内的第一存储器单元；以及在擦除所述第一存储器单元的同时抑制擦除在所述第一扇区内的第二存储器单元。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||