发明名称 多晶硅化学机械抛光液
摘要 本发明公开了一种多晶硅的化学机械抛光液,含有多元醇型非离子表面活性剂、胍类化合物、研磨颗粒和水。本发明的抛光液可以在碱性条件下较好地抛光多晶硅薄膜。其中,多元醇型非离子表面活性剂可显著降低多晶硅的去除速率,而不降低二氧化硅的去除速率,从而显著降低多晶硅与二氧化硅的选择比;胍类化合物也可调节多晶硅与二氧化硅的选择比,同时具有调节pH的作用,使得本发明的抛光液无需添加常规pH调节剂,大大减少了金属离子污染和环境污染。
申请公布号 CN101652445A 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200880011323.3 申请日期 2008.04.03
申请人 安集微电子(上海)有限公司 发明人 荆建芬;杨春晓
分类号 C09G1/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 上海翰鸿律师事务所 代理人 李佳铭
主权项 PCT国内申请,权利要求书已公开。
地址 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室