发明名称 外延膜厚的测试方法
摘要 本发明公开了一种外延膜厚的测试方法,所述方法测试多个测试点,所述测试点分布在通过硅片中心的一条或多条直线以及以硅片中心为圆心的一个或多个圆周上,所述方法首先测试分布在直线上的测试点,再测试分布在圆周上的测试点;测试分布在直线上的测试点时,先测试同一条直线上的测试点,再测试不同直线上的测试点;测试分布在圆周上的测试点时,先测试同一个圆周上的测试点,再测试不同圆周上的测试点;每个测试点只测试一次;当一个测试点同时分布在直线和圆周上,该测试点只在直线上参与测试;当一个测试点同时分布在多条直线上,该测试点只在最早测试的直线上参与测试。本发明可以有效减少测试时间,提高测试效率。
申请公布号 CN100590833C 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200710094356.6 申请日期 2007.11.30
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 李勇;徐伟中;张洪伟
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 陈 平
主权项 1.一种外延膜厚的测试方法,所述方法测试多个测试点,所述测试点分布在通过硅片中心的一条或多条直线以及以硅片中心为圆心的一个或多个圆周上,其特征是:所述方法首先测试分布在直线上的测试点,再测试分布在圆周上的测试点;所述方法测试分布在直线上的测试点时,先测试同一条直线上的测试点,再测试不同直线上的测试点;所述方法测试分布在圆周上的测试点时,先测试同一个圆周上的测试点,再测试不同圆周上的测试点;每个测试点只测试一次;当一个测试点同时分布在直线和圆周上,该测试点只在直线上参与测试;当一个测试点同时分布在多条直线上,该测试点只在最早测试的直线上参与测试。
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