| 主权项 |
1.一种三五族半导体装置,包含在基体上之一第一及一第二AlGaN/GaN护套层之间的活化层,其中具Al(y)Ga(1-y)N之构成元素的中间层系在第一及第二AlGaN/GaN护套层中至少一项中Al(x)Ga(1-x)N及GaN之间形成,且中间层中的Al分量y在该层的厚度方向呈梯度方式之分布。2.如申请专利范围第1项之三五族半导体装置,其中中间层中的Al分量y等于在Al(x)Ga(1-x)N之边界处Al(x)Ga(1-x)N的分量x,且Al(y)Ga(1-y)N逐渐减少,而形成x大于y大于0的关系,且从Al(x)Ga(1-x)N向GaN逐渐变动,且在Al(x)Ga(1-x)N及GaN之间的边界处为0。3.如申请专利范围第1项之三五族半导体装置,其中该中间层之厚度介于5到2000埃之间。4.如申请专利范围第1项之三五族半导体装置,其中该在AlGaN/GaN护套层Al(x) Ga(1-x)N及CaN形成一或多层之中间层。5.如申请专利范围第4项之三五族半导体装置,其中该中间层(一或多层)的Al方量y在近Al(x)Ga(1-x)N处较大,而在靠GaN较小。6.如申请专利范围第5项之三五族半导体装置,其中该中间层中的Al分量y小于Al(x)Ga(1-x)N中的Al分量x,而大于0。7.如申请专利范围第4项之三五族半导体装置,其中该中间层中的Al总分量y之厚度为2000埃或更小。8.如申请专利范围第4项之三五族半导体装置,其中该基体系从下列各项中选择:蓝宝石(Al2O3),碳化矽(SiC)及氮化镓(GaN)。图式简单说明:第一图A为一示意之截面图,显示依据习知技术的方法,在蓝宝石基体上形成的结构;第一图B为一示意之截面图,显示依据习知技术的的在CaN基体上形成发光二极体的结构;第二图为基础图显示依据习知技术的方法,在p型AlGaN/GaN护套层中的能带间隙图;第三图之示意图显示依据本发明之第一实施例之p型AlGaN/GaN护套层的能带间隙图;第四图之示意图显示依据本发明第二实施例之p型AlGaN/GaN护套层的能带间隙图;第五图示与传统装置比较下,依据本发明之半导体的电特性;以及第六图示与传统技术比较下,依据本发明之装置的光电特性。 |
