| 发明名称 | 一种刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤，首先，提供一形成有多个薄膜层以及图案化光阻层的晶圆；再将所述晶圆传送至刻蚀腔，依次刻蚀每个薄膜层；其中，将所述晶圆传送至刻蚀腔刻蚀每个薄膜层之前，先将所述晶圆传送至校准腔，根据所述晶圆上已刻蚀薄膜层的刻蚀速率布局旋转所述晶圆。本发明解决了因月牙效应而导致的半导体器件性能失效的问题，提高了半导体器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN101651098A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910053011.5 | 申请日期 | 2009.06.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 齐龙茵;奚裴;石小兵;黄莉;杨昌辉;张振兴 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1、一种刻蚀方法，包括：提供一形成有多个薄膜层以及图案化光阻层的晶圆；将所述晶圆传送至刻蚀腔，依次刻蚀每个薄膜层；其特征在于，在刻蚀每个薄膜层之前，先将所述晶圆传送至校准腔，根据所述晶圆上已刻蚀薄膜层的刻蚀速率布局旋转所述晶圆。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||