| 发明名称 | 制备双镶嵌结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的多层光致抗蚀剂叠层，其中每个光致抗蚀剂层具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层曝露在一个或多个预定光线图形下；以及显像所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100590842C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200610144473.4 | 申请日期 | 2006.11.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·E·科尔伯恩;D·L·戈德法布 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;李 峥 |
| 主权项 | 1.一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供光致抗蚀剂叠层，所述光致抗蚀剂叠层包括在半导体衬底上形成的多个光致抗蚀剂层，其中每个光致抗蚀剂层都具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层的所述多个光致抗蚀剂层曝露在第一预定光线图形下；以及在将所述光致抗蚀剂叠层的所述多个光致抗蚀剂层曝光之后，显像所述多个光致抗蚀剂层以在所述多个光致抗蚀剂层中形成多层结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||