半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。提供一种用于即使在50V或更高的电压下有能力安全操作的偏置MOS晶体管的制造方法。在包括LOCOS氧化物膜的该偏置MOS晶体管中，蚀刻在漏极扩散层周边中形成的该LOCOS氧化物膜(其中需要高耐受电压)，并且形成该漏极扩散层以便扩展到位于其中该LOCOS氧化物膜被减薄的区域下方的半导体衬底的表面区域中。因此，该漏极扩散层的端部被偏置扩散层覆盖，由此发生在该漏极扩散层下部的区域中的电场集中可以被弛豫。

主权项

1.一种用于包括具有LOCOS偏置的场效应晶体管的半导体器件的制造方法，所述制造方法包括：在具有第一导电类型的半导体衬底上形成牺牲氧化物膜；在所述牺牲氧化物膜上形成氮化物膜；通过采用光阻剂的图案仅对所述氮化物膜的目标区域进行蚀刻；通过离子注入法形成具有第二导电类型的偏置扩散层；在其中所述氮化物膜被蚀刻的区域中形成LOCOS氧化物膜；移除所述氮化物膜和所述牺牲氧化物膜；在所述半导体衬底的表面上形成栅极氧化物膜，在所述栅极氧化物膜上形成多晶硅膜，并且通过采用光阻剂的图案仅对所述多晶硅膜的目标区域进行蚀刻；蚀刻所述栅极氧化物膜和所述LOCOS氧化物膜的一区域，以便使所述LOCOS氧化物膜的膜厚朝向所述漏极扩散层减少，在所述区域下方通过采用光阻剂的图案形成充当漏极扩散层的高掺杂扩散层，所述区域对应于用于所述LOCOS氧化物膜形成的部分；和通过离子注入法形成具有第二导电类型的高掺杂扩散层。